电压控制振荡器被广泛运用于几乎所有的射频与无线系统中。此类具有高频率的振荡器，例如这个由联华电子制造的192GHz电压控制振荡器，可能可使用于先进的远程遥测与尖端影像应用，以实现侦测化学物质、穿透布料侦测、穿透雾气与云层显像、以及侦测皮肤癌等应用。

    振荡器能够在一般振荡频率下产生讯号，并且可以扩展至两倍、三倍、四倍频率等等。然而，在如此高频率情况下产生的讯号，往往因太微弱而不具效用。至于双推式电压控制振荡器，由于其核心振荡频率为输出频率的一半，除了有更高的组件增益、可变电容外，电容器的Q值也提高，而传输线损失则降低，如此便可产生更强的讯号。此电压控制振荡器的输出功率为将近-20dBm，其载波偏移10MHz处的相位噪声约为-100dBc/Hz，在供电电压为1.5V的耗电为11mA。美国国防部高等研究计划赞助了此芯片的研发，由Changhua Cao、Eunyoung Seok与Kenneth O撰写报告，并于2月16日出版的IEE Electronics Letters期刊发表。

   “联电经过验证的RFCMOS技术现已用于驱动广泛的先进无线应用产品，”联华电子系统架构支持部总工程师林子声先生表示，“佛罗里达大学这项最新的成果，展现了我们RFCMOS工艺技术，对于效能要求极高的设计产品是十分适合的。我们十分高兴与佛大共同实现了这项技术上的突破，并且期待将这些研究成果提供给主流射频设计公司。”

   “特别令人振奋的地方在于我们采用了0.13微米工艺制造此电压控制振荡器，”佛罗里达大学Kenneth O教授表示，“在实验室里，我们也在测试以联华电子90纳米逻辑制程制造的140-GHz。一般电压控制振荡器。由此可以直接再发展到可产生大约280GHz信号的双推式电压控制振荡器。此外，若采用65纳米工艺，振荡频率应该可以达到350-400GHz。采用CMOS技术以产生兆赫兹(THz)信号将是指日可待之事。”

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