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欧盟斥资对抗功率难题纳米级芯片欲破瓶颈
发布日期:2006年01月12日 作者:*** 人气:265 查看:[大字体 中字体 小字体]
据外电最新报道,研发人员在开发纳米级芯片时遇到的重大难题——功率泄漏(power leakage),看起来有了福音。为了解决这一瓶颈问题,欧盟向某一研发团体协会资助550万美元以解决这一难题。

  该协会的主要成员STMicroelectronics在近日发布的一份声明中称,该协会的研发项目旨在改进下一代芯片系统半导体的设计,解决65纳米及其以下纳米CMOS出现功率泄漏的问题。

  据悉,该项称为CLEAN的计划将得到欧盟第六次框架项目下纳米电子计划的资助。功率泄漏时发生在65纳米以下技术中纳米电路的一个障碍,STMicroelectronics称半导体设计工艺和加工方面的新问题需要共同努力加以解决。

  CLEAN的主要目标在于研发新一代功率泄漏模式,设计工艺和泄漏控制技术及电子设计自动(EDA)工具,该工具能自动完成设计的部分工作,而以目前的技术是难以实现的。

  该研发协会包括14个合作成员,其中包括英飞凌、ChipVision Design Systems、丹麦理工大学、布达佩斯技术与经济大学等。

(出处:转载)


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