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采用Saifun的NROM技术,中芯国际进军闪存
发布日期:2006年01月09日 作者:*** 人气:254 查看:[大字体 中字体 小字体]
中芯国际与Saifun半导体日前共同宣布,中芯国际将采用Saifun的NROM技术研发生产闪存存储卡。

  Saifun的NROM技术在非易失内存技术领域是一个突破。NROM技术将存储能力提高到每个基本存储单元四字节,是一般基本存储单元的两倍多。不仅如此,NROM技术简化了存储单元的器件模型,减少了生产步骤,降低了生产成本。

  “闪存存储卡市场对于我们未来的发展而言是一个重要的驱动力,”中芯国际首席营运官Marco Mora表示,“在双方签署的第二份协议中,我们将Saifun先进的技术和中芯国际的高容量存储卡产品结合在一起,根据我们的核心优势积极关注产品的主要分销渠道。”

  Saifun半导体公司总裁Kobi Rozengarten先生表示,“自从我们今年六月签定第一份技术转让协议以来,双方紧密合作,致力于为数字产品市场研发领先于市场的,基于NROM双字节和四字节技术的闪存存储器产品。随着市场对高容量卡产品的需求不断扩大,中芯国际先进的生产经验和Saifun创造性的NROM技术的结合,必将给双方公司带来更多的成长机会。”

(出处:转载)


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