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水分子片断与纳米电子混合将产生超密集容量存储
发布日期:2006年05月29日 作者:不详 人气:247 查看:[大字体 中字体 小字体]

      美国宾州爵硕大学(Drexel University)和哈佛大学的科研理论人员组成的团队提出一种全新的方式来稳定和控制纳米结构中的铁电现象,这一方法带来另人惊奇的效果:用水分子片断终结表面。铁电质在科技应用中是很重要的“灵巧”原料,因为它们有局部双极子,可以通过上下转换来编译和存储信息。《Nano Letters》杂志四月份刊登了该团队的研究情况。

      “我们很惊奇地发现,甚至只用少数原子通过的一根纳米线就可以产生稳定的效果,进行双极存储元素的转换,”爵硕大学材料科学与工程学院的助理教授乔纳森.斯潘尼尔说道。

      斯潘尼尔及其同事成功地证实了这项成果,使用水分子来稳定在仅十亿分之三米宽氧化物纳米线段中的存储比特位。

      “我们对水如何“粘”住氧化物很感兴趣,”宾州物理化学理论系毕业生亚历克斯·科尔帕克说,“当我们观察到水分子是保持这些线记忆状态关键成分的时候,我们兴奋得不得了。”

      这项科研项目由哈佛大学Hongkun Park和宾州爵硕大学安德鲁·拉比带头进行研究。研究者发现,氧化物纳米线可以单独表现铁电性的尺寸依附特性。他们进行了计算,并且进行实验以确认氧化物表面上分子的存在,详细记录它们在纳米尺度铁电现象中的作用。值得关注的是,结果显示带有水分子或者其它分子的铁电物质表面可以在比以前想像更小的结构中稳定铁电性。

      虽然密集排列和纳米线的寻址仍然有待开发,但是这样的方法将能达到超过每立方厘米十万兆兆位的存储密度。如果这一存储密度商业化的话,一个iPod nano型号大小的播放机可以容纳一款MP3的音乐播放30万年而不会有一首歌曲重复,或者毫无重复地播放一万年DVD品质电影。

 

(出处:转载)


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