据Soisic称，这些器件由飞思卡尔半导体的先进SOI工艺技术制造，为无厂ASIC设计公司提供了将它们基于CMOS的设计移植到SOI工艺一条清晰的道路，以实现芯片更佳的性能和更低的功耗。

　　Soisic表示，成功流片了带三种阈值电压单元、I/O电路、存储器和数据加密/解密电路包含800万个晶体管的标准单元。所有部件都正常工作，证明Soisic面向90纳米SOI工艺技术的COT设计套件合格。

　 “这些流片有力地证明了Soisic将SOI技术引进至ASIC/COT设计的领导地位。” Soisic总裁兼CEO Eduard Weichselbaumer表示。

　　此前，Soisic于8月发布了90纳米的COT套件。该公司成功流片表明，ASIC设计公司能够在工业标准的EDA设计流程内制造先进的SOI部件，无需求助于专属并昂贵的设计工具和流程。

　　业内人士指出，传统IC设计由于时序主要决定于逻辑设计而非版图设计，因此IC设计公司主要实现逻辑设计，代工厂商根据IC设计公司的门级网表实现物理设计。但是，随着设计工艺加深，IC性能，尤其是时序收敛问题在逻辑设计阶段并不能保证，更多地取决于版图设计和互连，目前很多IC设计公司转向COT设计，投资购买物理设计工具。

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