全球NAND型闪存(Flash)大厂跨足到下游闪存卡生产风潮已接近白热化，继三星电子(Samsung Electronics)和东芝(Toshiba)之后，海力士(Hynix)和美光(Micron)也决定投入闪存卡生产。其中，海力士产品已在5月开始出货，美光则预计在2008下半年推出，初期系与国际手机大厂合作搭售，届时将形成全球四大NAND闪存阵营全面跨足闪存卡生产的局面，给整个产业带来新挑战。

三星和东芝是开创NAND闪存大厂跨足闪存卡生产的先驱，当年开始执行这项计划时备受市场争议，下游模块厂抗议不断，担心沦为NAND闪存大厂的中盘商，但如今这已是NAND闪存大厂的生存模式之一。海力士和美光在评估多日后，亦先后决定投入成卡制造行列。

海力士酝酿多时的闪存卡生产计划近期明朗化，产品已在5月开始出货，初期将与国际大厂合作，仅限于与手机厂搭售，并未跨足经营自有品牌的零售市场，这是海力士多年来坚守在上游NAND闪存生产端之后，终于决定自己开始生产闪存卡。

日前，美光也首次公开宣布将进军闪存卡市场，其瞄准OEM客户作为主要的合作对象，目前没有经营自有品牌的打算。美光强调，其闪存卡策略专注在OEM客户端，不会跨足自有品牌和渠道，也不会将成卡供应给内存模块客户，自有品牌部分则交由子公司，即品牌闪存卡厂Lexar负责。

美光内存系统发展事业部门副总Dean A. Klein表示，美光在2005年正式与英特尔(Intel)各自出资51%和49%成立NAND闪存厂IM Flash，2006年合并闪存卡自有品牌厂Lexar，逐宣示美光深耕NAND闪存市场的决心，并于2006年7月推出第一颗50纳米工艺的NAND闪存芯片。

美光NAND闪存产品事业部处长Kevin Kilbuck表示，日前美光和英特尔将NAND闪存工艺推进至34纳米，相比于竞争对手的下一代工艺都在40纳米，美光的进度足足比他们早了一年，第一颗32Gb MLC(Multi-Level Cell)芯片，也开始送样给客户作测试。

根据市场调研机构WSTS统计，2008年全球DRAM芯片和闪存芯片的产值分别为249亿美元和254亿美元。在DRAM芯片当中，PC相关和非PC相关芯片的产值，分别为149亿美元和100亿美元；而在闪存中，NOR闪存和NAND闪存市场的产值分别为78亿美元和176亿美元。整体来看，2008年合计NOR和NAND闪存的产值已超过DRAM。

美光表示，亚太地区已是美光在全球NAND闪存业务上的重镇，亚太地区占美光全球NAND闪存业务约40%之多。

除了闪存卡产品之外，美光也极力发展新产品固态硬盘(SSD)和内嵌式内存eMMC产品。美光预估2008年SSD的市场规模约9.59亿美元，到了2012年之后，SSD的市场规模将达44亿美元，并以笔记本电脑应用为主。

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