非易失性铁电随机存取存储器(FRAM)和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation宣布，中国压力变送器与电磁流量计供应商上海威尔泰工业自动化股份有限公司已将Ramtron的FM25L16 16千位(Kb)串行F-RAM存储器设计用于其2000S安全压力变送器中。在其全新固有的安全防爆传送器中，F-RAM已完全替代EEPROM。

随着工业领域中的过程控制的日益复杂，如化工、制药、电力、水处理和食品加工等行业，智能压力变送器已日益受到欢迎。2000S压力变送器具有多项先进的功能，包括双向通信、遥控校正及自我诊断。这些功能可实现更高的精度、更高的可靠性，以及更先进的通信协议，从而减少启动和维护的时间、工作量及成本。

2000S产品将传感技术与智能电子结合在单一封装中，而非易失性F-RAM存储器具备快速写入、高耐用性及低功耗特点，是这种先进设计必不可少的元件。在2000S中，F-RAM存储各种配置参数，如变送器范围、信号类型、流体特性等，并在断电时保存这些数据，使到变送器在电源|稳压器恢复后可即时投入使用。F-RAM还可存储2000S自动化自我校正例行程序的校正/补偿数据，并执行事件与数据记录，系统可以使用这些数据来诊断是否需要维护。

上海威尔泰研发工程师解释道：“我们在安全的智能2000S压力变送器中使用F-RAM代替EEPROM，能加快写入速度、提高耐用性，并提升总体安全性以防止潜在的爆炸。我们首款2000S设计采用了EEPROM，但却不能通过功耗测试，因为2000S的总体工作电流小于3.6mA。F-RAM的功耗低特性能实现固有安全性，其快速写入速度更减少了可变性，以及降低新型智能压力变送器中微处理器(MPU)的成本开销。”

F-RAM替代EEPROM

固有安全性：2000S是“固有安全性”的设备，意味着其设计可避免释放能量从而导致易燃材料起火和爆炸。因此，它需要工作电流非常低的存储器，如F-RAM。

减少可变性：F-RAM的快速写入对减少计算过程测量数据的可变性必不可少，这可为自我诊断带来更准确的测量数据、更多的系统控制能力及更高的盈利。

降低MPU开销：2000S包括用于复杂计算的MPU。由于智能压力变送器应用的处理量越来越密集，F-RAM的快速写入优势可以降低MPU的开销。

关于FM25L16 F-RAM

F-RAM存储器提供与RAM技术相同的功能，但却是非易失性的。它提供“无延迟”(NoDelay)写入、几乎无限的写入耐用性(写入次数大约为1e14)，以及低功耗。FM25L16是带有行业标准串行外设接口(SPI)的16Kb F-RAM存储器，可以在高达18MHz的总线速度及低工作电流下连续进行读写操作。而同级EEPROM器件的写入延迟长，备有写入轮询软件，耐用性低于100万次写入，且在较高功率下工作。FM25L16采用无铅的8脚SOIC和DFN封装，在工业温度范围内工作电压为3V。

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