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安森美针对中低功率应用推出四款高压功率MOSFET驱动器
发布日期:2008年04月20日 作者:不详 人气:64 查看:[大字体 中字体 小字体]

安森美半导体(ON Semiconductor)扩展MOSFET驱动器集成电路系列,推出四款新器件:NCP5106NCP5104NCP5111NCP5304。这些新的功率门驱动器针对中低功率应用,适用于终端产品包括白家电、照明电子镇流器和马达控制等工业应用。

这些新的高压、高端和低端驱动器工作在-40125的宽规定工作温度范围,并能工作在高达600(V)的输入电压,减轻了设计时间和精力。它们都具有每纳秒(V/ns) 50 VdV/dt抗扰度,并兼容于3.3 V5 V输入逻辑。这些器件使用启动电路(bootstrap)技术来确保驱动高端功率开关,并提供强固的设计。

NCP5104NCP5106NCP5111NCP5304是高压功率门驱动器,提供两路输出,用于直接驱动采用半桥配置的两个N沟道功率MOSFET或绝缘门极双极型晶体管(IGBT)NCP5106A能够用于其它任何高端加低端配置。

NCP5104NCP5106NCP5111NCP5304与行业标准器件引脚对引脚兼容,采用SOIC-8PDIP-8封装,每2,500片的批量单价分别为0.80美元和0.96美元。

(出处:转载)


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